Сегодня Intel объявила, что ее платформа нового поколения «Ivy Bridge» будет использовать новую технологию, позволяющую создавать 3D-транзисторную структуру под названием «Tri-Gate», что значительно повысит производительность и эффективность. Хотя Intel впервые представила свою работу над 3D-транзисторами почти десять лет назад, технология наконец достигла этапа, когда она может быть развернута в массовом производстве.

3D-транзисторы Tri-Gate от Intel позволяют чипам работать при более низком напряжении с меньшими утечками, обеспечивая беспрецедентное сочетание улучшенной производительности и энергоэффективности по сравнению с предыдущими передовыми транзисторами. Эти возможности дают разработчикам чипов гибкость в выборе транзисторов, ориентированных на низкое энергопотребление или высокую производительность, в зависимости от применения.

22-нм 3D-транзисторы Tri-Gate обеспечивают до 37% повышения производительности при низком напряжении по сравнению с 32-нм планарными транзисторами Intel. Этот невероятный прирост означает, что они идеально подходят для использования в небольших портативных устройствах, которые работают, потребляя меньше энергии для переключения вперед и назад. Альтернативно, новые транзисторы потребляют менее половины мощности при той же производительности, что и 2D-планарные транзисторы на 32-нм чипах.

На специальном мероприятии для прессы сегодня Intel продемонстрировала первый 22-нм процессор Ivy Bridge, использующий эту технологию, при этом массовое производство платформы запланировано на конец года. Intel также активно внедряет технологию Tri-Gate в свою платформу Atom для мобильных устройств, чтобы добиться существенного повышения производительности и эффективности.