Apple перейдет с использования флэш-памяти TLC (triple-level cell — ячейка тройного уровня) на флэш-память MLC (multi-level cell — ячейка многоуровневого хранения) в iPhone 6 и iPhone 6 Plus после того, как пользователи столкнулись с проблемами зависания и циклической перезагрузки на версиях этих устройств с большей емкостью, сообщает BusinessKorea.

Источники сообщили изданию, что в производственных дефектах виновата компания Anobit, производитель флэш-памяти, которую Apple приобрела в 2011 году. Apple, как сообщается, переключится на флэш-память MLC NAND для iPhone 6 на 64 ГБ и iPhone 6 Plus на 128 ГБ, а также устранит проблемы зависания и циклической перезагрузки с выпуском iOS 8.1.1. Apple уже использовала флэш-память MLC NAND в предыдущих поколениях iPhone.

Флэш-память TLC NAND — это тип твердотельной флэш-памяти NAND, которая хранит три бита данных на ячейку. Она может хранить в три раза больше данных, чем одноуровневая ячейка (SLC), которая хранит один бит данных, и в 1,5 раза больше, чем многоуровневая ячейка (MLC) твердотельной флэш-памяти, которая хранит два бита данных. Кроме того, флэш-память TLC более доступна по цене. Однако она также медленнее, чем SLC или MLC, при чтении и записи данных.

Apple выпустила первую бета-версию iOS 8.1.1 для разработчиков ранее на этой неделе, хотя компания не уточнила, решают ли включенные исправления ошибок проблемы с циклической перезагрузкой и зависанием на iPhone 6 и iPhone 6 Plus. Пользователям, у которых наблюдается необычное количество циклических перезагрузок и зависаний на их iPhone 6 или iPhone 6 Plus, рекомендуется вернуть свои устройства в розничный магазин Apple для замены.