После слухов о том, что Apple может выпустить iPhone 7 Plus с 256 ГБ памяти, итальянский веб-сайт HDblog поделился изображениями микросхемы флэш-памяти NAND SanDisk объемом 256 ГБ, которая может подойти для смартфона следующего поколения.
Apple использовала микросхемы флэш-памяти SanDisk в ряде предыдущих моделей iPhone, включая iPhone 5, iPhone 6 и iPhone 6 Plus, в то время как другие модели использовали микросхемы флэш-памяти NAND от Samsung, SK Hynix и Toshiba.
SanDisk удалось уменьшить размер своей микросхемы флэш-памяти объемом 256 ГБ, сделав ее меньше своего аналога на 64 ГБ, что делает ее жизнеспособным вариантом, учитывая слухи о том, что линейка iPhone 7 может быть до 1 мм тоньше и иметь аккумулятор большей емкости — 3100 мАч.
Пока неясно, будет ли у iPhone 7 Plus по-прежнему базовая память 16 ГБ, что было весьма спорным вариантом в последние годы, или Apple выберет больший объем памяти, такой как 32 ГБ, 128 ГБ и 256 ГБ, по существующим ценам.
Другие предполагаемые изменения в серии iPhone 7 включают более быстрый чип A10 от TSMC, Smart Connector, двойную камеру, стереодинамики, LTE-модем Intel 7360, отсутствие 3,5-мм разъема для наушников, водонепроницаемость, беспроводную зарядку, перенесенные полосы антенны и многое другое. Модели iPhone 7 Plus могут получить 3 ГБ ОЗУ.
