Samsung сегодня объявила о завершении функционального тестирования и валидации первого в отрасли 8-гигабитного LPDDR5 DRAM класса 10 нанометров.

Samsung заявляет, что прототип чипа может работать на скорости до 6,4 Гбит/с, что в 1,5 раза быстрее, чем LPDDR4X DRAM, используемый в iPhone X и других флагманских смартфонах. Чип также оснащен совершенно новым спящим режимом и другими функциями, которые снижают энергопотребление до 30 процентов.

AnandTech предоставил хороший обзор технических деталей чипа, но в целом это событие может привести к тому, что будущие iPhone получат еще более быструю и более энергоэффективную память. Это означало бы максимальную производительность и увеличенное время автономной работы, что является хорошей новостью для всех.

Samsung заявила, что планирует начать массовое производство своих DRAM следующего поколения, включая этот чип LPDDR5 DRAM, но не уточнила, когда именно. Говорят, что LPDDR5 настолько передовой, что группа стандартов JEDEC еще не утвердила его спецификации, поэтому это может занять некоторое время.

В настоящее время Apple закупает DRAM у нескольких поставщиков, включая Samsung, SK Hynix и Micron, в зависимости от модели iPhone.