Samsung начала разработку, как заявляет компания, первого в отрасли чипа флэш-памяти Universal Flash Storage (eUFS) объемом один терабайт, работающего на базе V-NAND пятого поколения компании.
Большинство телефонов Android оснащены слотом для microSD, который позволяет владельцам увеличивать внутреннюю емкость своих устройств, однако новый чип объемом 1 ТБ обеспечит уровень хранения данных, сопоставимый с ноутбуками, без необходимости использования дополнительных карт памяти, сообщает Samsung.
«Ожидается, что 1 ТБ eUFS сыграет ключевую роль в обеспечении более привычного для пользователей ноутбуков опыта использования для следующего поколения мобильных устройств», — заявил Чхоль Чхве, исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу памяти в Samsung Electronics.
«Более того, Samsung стремится обеспечить самую надежную цепочку поставок и достаточные объемы производства для поддержки своевременного выпуска грядущих флагманских смартфонов, способствуя ускоренному росту мирового рынка мобильных устройств».
Помимо обеспечения большей емкости, технология eUFS также спроектирована так, чтобы работать быстрее стандартных твердотельных накопителей и карт microSD, предлагая скорость последовательного чтения 1000 МБ/с и скорость случайного чтения 58 000 IOPS, при этом имея тот же размер корпуса, что и 512 ГБ флэш-чипы компании.
Samsung утверждает, что случайная скорость позволяет осуществлять высокоскоростную серийную съемку со скоростью 960 кадров в секунду и даст пользователям смартфонов возможность в полной мере использовать возможности нескольких камер в нынешних и будущих флагманских моделях.
Samsung начала массовое производство своих 512 ГБ чипов памяти в декабре 2017 года и представила технологию в своих новых флагманских телефонах в следующем году. При аналогичном графике выпуска, будущий Samsung Galaxy S10, вероятно, будет предлагаться с вариантом емкости памяти 1 ТБ благодаря новой технологии eUFS компании.
Тем временем Samsung планирует расширить производство своего V-NAND пятого поколения объемом 512 ГБ на своем заводе в Пхёнтхэке, Корея, в течение первой половины 2019 года, чтобы удовлетворить ожидаемый высокий спрос на 1 ТБ eUFS со стороны производителей мобильных устройств по всему миру.
Являясь лидером в области решений для NAND-памяти, Samsung поставляет Apple чипы флэш-памяти с 2017 года. Хотя это разработка, скорее всего, повлияет на память, используемую в будущих продуктах Apple iPhone и iPad, память Samsung также может найти применение в будущих Mac, которые стали сильно зависеть от флэш-памяти.
Модели Apple iPad Pro 2018 года доступны с накопителем объемом 1 ТБ, что является самой высокой емкостью, предлагаемой на данный момент для iPhone или iPad.